在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細圖案。
一 半導(dǎo)體材料的清洗工藝
材料的清洗工藝是利用不同清洗試劑和不同的物理方法將半導(dǎo)體材料表面多余的物質(zhì)去除，得到所有表面潔凈的半導(dǎo)體制程。SZFEAT（富怡達或富一達）在半導(dǎo)體清洗制程提供的設(shè)備有全自動超聲波清洗機、噴淋刷洗設(shè)備、自動脫膠清洗機等精密清洗設(shè)備。
清洗工藝分為化學(xué)清洗和物理清洗兩大類型?；瘜W(xué)清洗又分為酸清洗、堿清洗、水清洗、有機清洗等各類；物理清洗又分為：超聲波清洗、噴淋清洗、擺動清洗、刷動清洗、旋轉(zhuǎn)清洗等方式。SZFEAT（富怡達或富一達）精密清洗裝備結(jié)合上述清洗方式，進行優(yōu)化組合，形成特色，且可按用戶需求，按不同清洗方式定制適合不同場景使用的清洗設(shè)備。
二 半導(dǎo)體材料的刻蝕工藝
材料的刻蝕工藝就是結(jié)合物理和化學(xué)方法以形成微細圖案的半導(dǎo)體制程工藝的核心。刻蝕雖然不能像光刻機一樣，直接繪制精密的圖形，但可通過調(diào)節(jié)氣體比例、溫度、電場強度和氣壓等各種參數(shù)，使晶圓的數(shù)千億個晶體管具有相同的圖形。
刻蝕分為濕刻蝕和干刻蝕。濕刻蝕的優(yōu)點是刻蝕速率相當快，且只采用化學(xué)方法，所以“選擇比”較高。但其問題是只能進行等向性（Isotropic）刻蝕。干刻蝕則泛指采用氣體進行刻蝕的所有工藝，即在晶圓上疊加光刻膠“模具”后，將其裸露于刻蝕氣體中的工藝。干刻蝕可分為等離子刻蝕、濺射刻蝕和反應(yīng)性離子刻蝕。與濕刻蝕不同，這些干刻蝕工藝采用各種不同的方式來刻蝕材料，所以，可以一目了然地說明非等向性和等向性刻蝕的特點。例如，采用化學(xué)反應(yīng)的干刻蝕為等向性刻蝕，采用物理反應(yīng)的刻蝕則為非等向性刻蝕。最近，隨著RIE（非等向性高、刻蝕速率高的一種干刻蝕方法）成為主流，干刻蝕具有非等向性的認識已成了一種共識。
按材料區(qū)分，刻蝕工藝方法大致可分為化學(xué)方法和物理方法兩種
化學(xué)方法就是采用與指定材料易反應(yīng)的物質(zhì)進行化學(xué)反應(yīng)。光刻膠下面有許多要去除的物質(zhì)，如在氧化工藝中生成的氧化膜或在沉積工藝中涂敷的一些其他物質(zhì)等。化學(xué)方法就是采用易與想去除的材料產(chǎn)生反應(yīng)，卻不與光刻膠發(fā)生反應(yīng)的物質(zhì)，有針對性地去除材料。當然，根據(jù)要去除的材料，所使用的刻蝕劑（氣體或液體）也不同。常用刻蝕劑有以氟或氯為基礎(chǔ)的化合物等?；瘜W(xué)方法的優(yōu)點是“高選擇比”，可以只去除想去除的材料。
物理方法是借助具有高能量的離子撞擊晶圓表面，以去除材料，這種方法叫濺射刻蝕。該方法先把氣體（主要使用惰性氣體）氣壓降低，再賦予高能量，使氣體分解為原子（+）與電子（-）。此時，朝晶圓方向施加電場，原子就會在電場作用下加速與晶圓發(fā)生沖撞。
這種方法的原理很簡單，但在實際工藝中，僅憑這一原理很難達成目的。低氣壓意味著參加反應(yīng)的氣體量少，刻蝕速率當然就會慢下來。而且，采用物理方法時，會移除較大面積的本不該去除的材料。物理方法采用強行用力刻出材料的方法，發(fā)生沖撞時不會區(qū)分“應(yīng)該”還是“不應(yīng)該”去除的材料。（在后續(xù)介紹沉積工藝的沉積氣體時也會說到濺射方法，大家不妨記住，有助于下文的理解。）
因此，在實際的刻蝕工藝中，我們主要采用將化學(xué)和物理方法相結(jié)合的反應(yīng)性離子刻蝕。它將刻蝕氣體變成等離子，以進行刻蝕。具體而言，這種方法在設(shè)備內(nèi)投入混合氣體后，賦予氣體高能量，使其分解為電子、陽離子和自由基。質(zhì)量較輕的電子基本上起不了什么作用，而在電場中向陽離子施加沖向晶圓方向的加速度，就會發(fā)生物理刻蝕。陽離子具有正電荷，在電場中加速時方向性很強。
近來，以進一步升級光刻機來提高密度的方法已達到了瓶頸。刻蝕工藝的重要性自然更加突顯。CPU和AP等產(chǎn)品中的鰭式場效電晶體就是很好的一個案例。
